买卖IC网 >> 产品目录 >> NE651R479A-EVPW26 射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE651R479A-EVPW26

库存数量：可订货
制造商：CEL
描述：射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz
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制造商 CEL
技术类型 HEMT
频率 1.9 GHz
增益 12 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
漏源电压 VDS 8 V
闸/源击穿电压 - 4 V
漏极连续电流 1 A
最大工作温度 + 125 C
功率耗散 2.5 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 79A
相关资料
属性
链接
代理商 NE651R479A-EVPW26
NE651R479A-EVPW35
NE651R479A-T1
NE651R479A-T1-A
NE652N
NE657N
供应商
公司名
电话
深圳市升发继电器贸易有限公司 0754-84453743 苏先生
深圳市宝芯创电子有限公司 0755-83228629 陈先生
买卖ic网 15013635600 张仪
深圳市创芯弘科技有限公司 13410000176 (2014年前十佳IC供应商)
  • NE651R479A-EVPW26 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
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